| News Release | |
2013年1月21日  | |
フォトレジスト溶液やSOG溶液の粒子を0.1μmから測定可能な | 
     
| リオンは、新光学系を採用し、背景光を大幅に低減することで、今まで難しかったフォトレジスト溶液中の粒子を0.1μmから測定可能な液中パーティクルセンサ「KS-41B」を開発し、2013年1月28日から販売を開始します。 | 
![]() ※下の画像は液中パーティクルセンサ「KS-41B」(左下)によるシステム構成 コントローラ「KE-40B1」(左上)、シリンジサンプラ「KZ-30W1/30W2」(右)  | 
    
◇フォトレジスト溶液中パーティクルセンサについて  | 
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|  フォトレジストは、半導体素子の製造において、ウェハへ集積回路パターン転写を行う工程(フォトリソグラフィ)で用いられています。集積回路のデザインルールが微細化される中で、歩留まりに影響するフォトレジスト溶液中のパーティクル管理が必要とされています。 今回開発した液中パーティクルセンサ「KS-41B」は、フォトレジスト溶液中において0.1μmの粒子検出を可能にしました。これは新開発した光学系によるもので、従来機種と比較して、レーザの強度増加と短波長化による粒子感度の向上、および受光部のフォトダイオードの改良による背景光低減により実現しました。また、フォトレジストに加え、半導体製造プロセスの平坦化工程で使用されるシリカ(SiO2)系皮膜形成用塗布液「SOG」の管理にも適しています。 さらに、背景光が発生しない液体の場合、最小可測粒径は0.07μmまで対応します。  | 
    
| ◇液中パーティクルセンサ「KS−41B」の概要 | 
| 1.主な用途 | |
| 半導体製造プロセスにて使用されるフォトレジスト溶液やSOG溶液の清浄度管理 | |
| 2.特長 | ||
| 1) | 最小可測粒径0.1μm。背景光が発生しない液体の場合は0.07μmまで対応可能 | |
| 2) | 粒径区分は0.1〜0.5μmの範囲内で、最大10段階(コントローラ「KE-40B1」から設定) | |
| 3) | 定格試料流量は5mL/min | |
| 4) | 受光部に多チャンネルフォトダイオードを採用 | |
| 5) | 波高分析ソフトウェア「KF-50A」を使用し、背景光によるノイズの状態を測定可能 | |
| 6) | レーザ消灯機能が付き、ユーザビリティが向上 | |
| 測定システム例 | 
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| 製品の詳細は、こちらのPDFカタログをご覧ください。 |